SMEC (Semiconductor Manufacturing Electronics (Shaoxing) Corporation) & NIO Integrated Partners Conference ja NIO Self-developed SiC Module C Offline Ceremony” toimus 29. märtsil SMEC Integratedi Shaoxingi peakorteris. NIO vanem asepresident Zeng Shuxiang ja SMECi integreeritud peadirektor Zhao Qi osalesid koos ja käivitasid SiC mooduli C võrguühenduseta avamistseremoonia.
NIO vanem asepresident Zeng Shuxiang ütles üritusel: Kahe osapoole vaheline SiC projekt on algusest kuni tänapäevani läbinud väljakutseid ja toode on jõudmas masstootmise etappi.
Chinapev sai teada, et SiC (ränikarbiid) on kolmanda põlvkonna pooljuhtide üks peamisi esindajaid. Võrreldes räniga on sellel kõrgem lülitussagedus, laiem ribalaius, suurem jaotusväli ja kõrgem soojusjuhtivus. See toimib hästi kõrge temperatuuri, kõrgsurve ja kõrgsagedusväljades ning võib oluliselt parandada jõutransistoride jõudlust ja energiatõhusust. Ränikarbiidil põhinevaid jõuelektroonilisi seadmeid on laialdaselt kasutatud lennunduses, uutes energiasõidukites, raudteetransiidis, fotogalvaanilises elektritootmises, arukates võrkudes ja muudes valdkondades.
Lisaks allkirjastasid 2023. aasta detsembris SMEC Integrated ja NIO Automobile pikaajalise strateegilise koostöölepingu SiC kiipide ja moodultoodete osas. Kahe osapoole vahel sõlmitud lepingu kohaselt saab SMEC Integratedist NIO Automobile'i SiC kiipide ja moodulite tarnija. Selle aasta jaanuaris sõlmisid pooled SiC moodultoodete tootmis- ja tarnelepingu. SMEC Integratedist on saanud NIO esimese enda väljatöötatud 1200 V SiC mooduli tootmistarnija.
